Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDU6N25
FDU6N25

FDU6N25 Fairchild Semiconductor

fdu6n25-d.pdf
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 11072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
826+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU6N25 Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 1.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.

Інші пропозиції FDU6N25

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDU6N25 FDU6N25 ONSEMI FDU6N25-D.pdf fdu6n25-d.pdf Description: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 1.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25 FDU6N25 ON Semiconductor / Fairchild FDU6N25-1300628.pdf MOSFET N-Channel UniFET
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25 FDU6N25-D.pdf fdu6n25-d.pdf
FDU6N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU6N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 4.4 A, 1.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6N25 FDU6N25-1300628.pdf
FDU6N25
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET N-Channel UniFET
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.