Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDU8780
FDU8780

FDU8780 Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002366270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
на замовлення 81309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
952+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU8780 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FDU8780

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDU8780 Виробник : FAIRCHILD FDD8780%2C%20FDU8780.pdf FAIR-S-A0002366270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780 FDU8780 Виробник : onsemi FDD8780%2C%20FDU8780.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU8780 FDU8780 Виробник : onsemi / Fairchild fairchild_semiconductor_fdd8780-1191164.pdf MOSFETs LOW VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.