Продукція > ONSEMI > FDV305N
FDV305N

FDV305N onsemi

FDV305N-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 108550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.42 грн
6000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDV305N onsemi

Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm.

Інші пропозиції FDV305N за ціною від 6.04 грн до 42.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.31 грн
6000+10.26 грн
9000+8.96 грн
12000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1131+12.48 грн
1253+11.27 грн
3000+8.07 грн
9000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 1131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N onsemi FDV305N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 108726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.98 грн
15+21.31 грн
100+13.50 грн
500+9.50 грн
1000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.37 грн
32+23.66 грн
100+12.48 грн
1000+10.87 грн
3000+7.21 грн
9000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.09 грн
31+24.67 грн
100+13.02 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N onsemi FDV305N-D.pdf MOSFETs 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 118737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N onsemi / Fairchild FDV305N-D.pdf MOSFETs 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 168015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 7858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI 2298599.pdf Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.31 грн
6000+10.26 грн
9000+8.96 грн
12000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1131+12.48 грн
1253+11.27 грн
3000+8.07 грн
9000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 1131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N-D.pdf
FDV305N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 108726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.98 грн
15+21.31 грн
100+13.50 грн
500+9.50 грн
1000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+40.37 грн
32+23.66 грн
100+12.48 грн
1000+10.87 грн
3000+7.21 грн
9000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.09 грн
31+24.67 грн
100+13.02 грн
1000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N-D.pdf
FDV305N
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 118737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N-D.pdf
FDV305N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 168015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 7858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N 2298599.pdf
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.