на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDV305N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDV305N за ціною від 4.67 грн до 41.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDV305N | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V |
на замовлення 30735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDV305N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDV305N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDV305N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDV305N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDV305N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDV305N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V |
на замовлення 32530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDV305N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDV305N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDV305N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDV305N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 210988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDV305N | Виробник : ONSEMI |
FDV305N SMD N channel transistors |
на замовлення 4669 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|