Продукція > ONSEMI > FDV305N
FDV305N

FDV305N onsemi

FDV305N-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.26 грн
6000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDV305N onsemi

Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm.

Інші пропозиції FDV305N за ціною від 6.77 грн до 35.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.56 грн
6000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.56 грн
6000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.74 грн
6000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
6000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1252+11.28 грн
1264+11.17 грн
1568+9.00 грн
1589+8.56 грн
3000+7.83 грн
6000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 1252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+11.56 грн
3000+8.22 грн
6000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.98 грн
6000+14.86 грн
9000+14.80 грн
12000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI FDV305N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.17 грн
22+19.55 грн
50+13.63 грн
100+11.85 грн
500+8.97 грн
1000+7.96 грн
1500+7.45 грн
3000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ON Semiconductor fdv305n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.36 грн
39+19.31 грн
55+13.91 грн
100+10.88 грн
250+9.97 грн
500+7.72 грн
1000+7.61 грн
3000+7.52 грн
6000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N onsemi FDV305N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
15+21.48 грн
50+15.56 грн
100+12.78 грн
500+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N onsemi FDV305N-D.pdf MOSFETs 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 116037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N ONSEMI 2298599.pdf Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.56 грн
6000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.56 грн
6000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.74 грн
6000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.76 грн
6000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1252+11.28 грн
1264+11.17 грн
1568+9.00 грн
1589+8.56 грн
3000+7.83 грн
6000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 1252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+11.56 грн
3000+8.22 грн
6000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1169+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.98 грн
6000+14.86 грн
9000+14.80 грн
12000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N.pdf
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.17 грн
22+19.55 грн
50+13.63 грн
100+11.85 грн
500+8.97 грн
1000+7.96 грн
1500+7.45 грн
3000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N fdv305n-d.pdf
FDV305N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.36 грн
39+19.31 грн
55+13.91 грн
100+10.88 грн
250+9.97 грн
500+7.72 грн
1000+7.61 грн
3000+7.52 грн
6000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N-D.pdf
FDV305N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.60 грн
15+21.48 грн
50+15.56 грн
100+12.78 грн
500+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N FDV305N-D.pdf
FDV305N
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 116037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N ONSM-S-A0003587639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDV305N 2298599.pdf
FDV305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.