Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDW262P
FDW262P

FDW262P Fairchild Semiconductor

FAIRS26312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 10 V
на замовлення 178330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
523+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 523
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDW262P Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDW262P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDW262P Виробник : FAI FDW262P.pdf FAIRS26312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW262P Виробник : FAI FDW262P.pdf FAIRS26312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2003 TSSOP
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW262P Виробник : FAIRCHIL FDW262P.pdf FAIRS26312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 0449+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW262P Виробник : FAIRCHILD FDW262P.pdf FAIRS26312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW262P Виробник : FAIRCHILD FDW262P.pdf FAIRS26312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TSSOP-8
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDW262P FDW262P Виробник : ON Semiconductor 1056408775979317fdw262p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDW262P FDW262P Виробник : onsemi FDW262P.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDW262P FDW262P Виробник : onsemi / Fairchild FDW262P.pdf FAIRS26312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 20V PCh MOSFET Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.