
FDWS86068-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 116.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDWS86068-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDWS86068-F085 за ціною від 104.93 грн до 319.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDWS86068-F085 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDWS86068-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDWS86068-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
FDWS86068-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |