Продукція > ONSEMI > FDWS86068-F085
FDWS86068-F085

FDWS86068-F085 onsemi

fdws86068-f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDWS86068-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 214W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDWS86068-F085 за ціною від 116.89 грн до 299.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDWS86068-F085 FDWS86068-F085 onsemi fdws86068-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.43 грн
10+190.35 грн
100+134.78 грн
500+116.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86068-F085 FDWS86068-F085 onsemi fdws86068-f085-d.pdf MOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86068-F085 fdws86068-f085-d.pdf
FDWS86068-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.43 грн
10+190.35 грн
100+134.78 грн
500+116.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86068-F085 fdws86068-f085-d.pdf
FDWS86068-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.