Продукція > ONSEMI > FDWS86368-F085
FDWS86368-F085

FDWS86368-F085 ONSEMI

2907407.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+107.48 грн
500+83.80 грн
1000+75.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDWS86368-F085 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDWS86368-F085 за ціною від 64.70 грн до 219.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.35 грн
500+134.06 грн
1000+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 onsemi fdws86368_f085-d.pdf MOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.96 грн
10+137.49 грн
100+82.98 грн
500+69.55 грн
3000+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 ONSEMI 2907407.pdf Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.96 грн
10+149.32 грн
100+107.48 грн
500+83.80 грн
1000+75.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 onsemi fdws86368_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.15 грн
10+136.98 грн
100+94.73 грн
500+71.96 грн
1000+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 fdws86368_f085-d.pdf
FDWS86368-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
237+149.35 грн
500+134.06 грн
1000+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 fdws86368_f085-d.pdf
FDWS86368-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 5987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+214.96 грн
10+137.49 грн
100+82.98 грн
500+69.55 грн
3000+64.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 2907407.pdf
FDWS86368-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+214.96 грн
10+149.32 грн
100+107.48 грн
500+83.80 грн
1000+75.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 fdws86368_f085-d.pdf
FDWS86368-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+219.15 грн
10+136.98 грн
100+94.73 грн
500+71.96 грн
1000+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.