Продукція > ONSEMI > FDWS86368-F085
FDWS86368-F085

FDWS86368-F085 onsemi

fdws86368_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDWS86368-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDWS86368-F085 за ціною від 60.27 грн до 183.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ONSEMI 2907407.pdf Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+106.83 грн
500+ 92.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : onsemi fdws86368_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+146.95 грн
10+ 117.44 грн
100+ 93.45 грн
500+ 74.2 грн
1000+ 62.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDWS86368_F085_D-2313258.pdf MOSFET 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.82 грн
10+ 132.49 грн
100+ 91.9 грн
500+ 77.25 грн
1000+ 65.66 грн
3000+ 61.93 грн
6000+ 60.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ONSEMI 2907407.pdf Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+183.03 грн
10+ 131.48 грн
100+ 106.83 грн
500+ 92.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній