Продукція > ONSEMI > FDWS86368-F085
FDWS86368-F085

FDWS86368-F085 onsemi


fdws86368_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDWS86368-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDWS86368-F085 за ціною від 65.67 грн до 194.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ONSEMI 2907407.pdf Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : onsemi fdws86368_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.89 грн
10+120.10 грн
100+88.47 грн
500+71.04 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDWS86368_F085_D-1808940.pdf MOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.52 грн
10+130.82 грн
100+83.67 грн
500+68.91 грн
1000+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ONSEMI 2907407.pdf Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.30 грн
10+138.31 грн
100+102.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 FDWS86368-F085 Виробник : ON Semiconductor fdws86368_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86368-F085 Виробник : ONSEMI fdws86368_f085-d.pdf FDWS86368-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.