FDWS86368-F085 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 61.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDWS86368-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDWS86368-F085 за ціною від 57.94 грн до 211.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDWS86368-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDWS86368-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDWS86368-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDWS86368-F085 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 80V N-Chnl Power Trench MOSFET |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDWS86368-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDWS86368-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDWS86368-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 8-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDWS86368-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 214W; DFNW8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80A Power dissipation: 214W Case: DFNW8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |