Продукція > ONSEMI > FDWS86369-F085
FDWS86369-F085

FDWS86369-F085 onsemi

fdws86369_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.64 грн
6000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDWS86369-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDWS86369-F085 за ціною від 41.76 грн до 196.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDWS86369-F085 FDWS86369-F085 onsemi fdws86369_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.28 грн
10+100.33 грн
100+74.96 грн
500+57.61 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085 FDWS86369-F085 onsemi / Fairchild FDWS86369_F085-D.PDF MOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+143.95 грн
10+108.15 грн
100+63.65 грн
500+50.86 грн
1000+48.23 грн
3000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085 FDWS86369-F085 onsemi fdws86369_f085-d.pdf MOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+196.62 грн
10+123.73 грн
100+73.13 грн
500+62.37 грн
1000+55.22 грн
3000+52.21 грн
6000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085 fdws86369_f085-d.pdf
FDWS86369-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.28 грн
10+100.33 грн
100+74.96 грн
500+57.61 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085 FDWS86369_F085-D.PDF
FDWS86369-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.95 грн
10+108.15 грн
100+63.65 грн
500+50.86 грн
1000+48.23 грн
3000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085 fdws86369_f085-d.pdf
FDWS86369-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.62 грн
10+123.73 грн
100+73.13 грн
500+62.37 грн
1000+55.22 грн
3000+52.21 грн
6000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.