FDWS86369-F085 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.56 грн |
| 6000+ | 45.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDWS86369-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDWS86369-F085 за ціною від 46.84 грн до 134.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDWS86369-F085 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 28995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDWS86369-F085 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDWS86369-F085 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.36 грн |
| 10+ | 98.20 грн |
| 100+ | 73.37 грн |
| 500+ | 56.39 грн |
| 1000+ | 46.84 грн |
| FDWS86369-F085 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
MOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)