Продукція > ONSEMI > FDWS86369-F085
FDWS86369-F085

FDWS86369-F085 onsemi

fdws86369_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.04 грн
6000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDWS86369-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: Power56, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 107W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDWS86369-F085 за ціною від 38.68 грн до 135.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDWS86369-F085 FDWS86369-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDWS86369_F085-D.PDF MOSFETs 80V N Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.35 грн
10+100.19 грн
100+58.96 грн
500+47.12 грн
1000+44.68 грн
3000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085 FDWS86369-F085 Виробник : onsemi fdws86369_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+99.14 грн
100+74.07 грн
500+56.93 грн
1000+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085 Виробник : ON Semiconductor fdws86369_f085-d.pdf
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS86369-F085 Виробник : ONSEMI fdws86369_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 65A; 107W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.