FDWS9408-F085

FDWS9408-F085 ON Semiconductor / Fairchild


FDWS9408_F085-1123624.pdf Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDWS9408-F085 ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: Power56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDWS9408-F085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDWS9408-F085 FDWS9408-F085 Виробник : onsemi fdws9408_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.