FDWS9509L-F085


fdws9509l-f085-d.pdf
Код товару: 170673
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDWS9509L-F085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDWS9509L-F085 FDWS9509L-F085 Виробник : onsemi fdws9509l-f085-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 65A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085 FDWS9509L-F085 Виробник : onsemi fdws9509l-f085-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 65A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.1x6.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085 FDWS9509L-F085 Виробник : onsemi fdws9509l-f085-d.pdf MOSFETs PMOS PWR56 40V 8 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDWS9509L-F085 FDWS9509L-F085 Виробник : ONSEMI fdws9509l-f085-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -65A; 107W; DFN8
Case: DFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -65A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 67nC
On-state resistance: 13mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 107W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.