FDY1002PZ onsemi


FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.16 грн
6000+12.09 грн
9000+11.56 грн
15000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDY1002PZ onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-563F, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 446mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate.

Інші пропозиції FDY1002PZ за ціною від 10.64 грн до 61.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDY1002PZ FDY1002PZ onsemi / Fairchild FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs -20V DUAL P-CHAN POWERTRENCH
на замовлення 49423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.84 грн
10+33.80 грн
100+21.00 грн
500+16.07 грн
1000+13.32 грн
3000+11.07 грн
6000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY1002PZ FDY1002PZ onsemi FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563F
на замовлення 17622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.85 грн
10+37.19 грн
100+23.98 грн
500+17.20 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY1002PZ FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V DUAL P-CHAN POWERTRENCH
на замовлення 49423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.84 грн
10+33.80 грн
100+21.00 грн
500+16.07 грн
1000+13.32 грн
3000+11.07 грн
6000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY1002PZ FAIR-S-A0002366002-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SOT563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563F
на замовлення 17622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.85 грн
10+37.19 грн
100+23.98 грн
500+17.20 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.