FDY1002PZ ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 625mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDY1002PZ ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 625mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 625mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDY1002PZ за ціною від 12.69 грн до 41.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDY1002PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm Verlustleistung, p-Kanal: 625mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 625mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDY1002PZ | Fairchild |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563F T/R FDY1002PZ TFDY1002pzкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDY1002PZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563F T/R |
на замовлення 3240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDY1002PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 625mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDY1002PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 830 mA, 830 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 830mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.28ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 625mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDY1002PZ |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563F T/R FDY1002PZ TFDY1002pz
кількість в упаковці: 25 шт
Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563F T/R FDY1002PZ TFDY1002pz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 16.78 грн |
| FDY1002PZ |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563F T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.83A 6-Pin SOT-563F T/R
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 41.70 грн |
| 23+ | 33.82 грн |
| 27+ | 28.49 грн |
| 100+ | 20.34 грн |
| 250+ | 18.26 грн |
| 500+ | 16.33 грн |
| 1000+ | 15.26 грн |
| 3000+ | 12.69 грн |


