FDY100PZ

FDY100PZ onsemi


fdy100pz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.67 грн
6000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDY100PZ onsemi

Description: ONSEMI - FDY100PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 350 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDY100PZ за ціною від 10.27 грн до 52.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDY100PZ FDY100PZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDY100PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 350 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.48 грн
500+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDY100PZ FDY100PZ Виробник : onsemi fdy100pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 13462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
13+24.75 грн
100+17.23 грн
500+12.63 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDY100PZ FDY100PZ Виробник : ONSEMI FDY100PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.35A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.69 грн
25+17.40 грн
74+12.11 грн
204+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDY100PZ FDY100PZ Виробник : ONSEMI FDY100PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.35A; 0.625W; SOT523
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.35A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.03 грн
25+21.68 грн
74+14.53 грн
204+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDY100PZ FDY100PZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDY100PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 350 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.32 грн
19+44.40 грн
100+27.48 грн
500+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDY100PZ FDY100PZ Виробник : onsemi / Fairchild FDY100PZ_D-2313288.pdf MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET
на замовлення 50932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.