
FDY101PZ ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 10.10 грн |
6000+ | 8.98 грн |
15000+ | 8.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDY101PZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDY101PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 8, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FDY101PZ за ціною від 8.48 грн до 37.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDY101PZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 8 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDY101PZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDY101PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 16267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
FDY101PZ | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDY101PZ | Виробник : Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDY101PZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |