FDY101PZ

FDY101PZ ON Semiconductor


3664027168334196fdy101pz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-523FL T/R
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.10 грн
6000+8.98 грн
15000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDY101PZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDY101PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 8, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FDY101PZ за ціною від 8.48 грн до 37.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : ONSEMI 2304105.pdf Description: ONSEMI - FDY101PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 8 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 8
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.43 грн
31+27.17 грн
100+20.25 грн
500+13.00 грн
3000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : onsemi fdy101pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
11+29.36 грн
100+20.01 грн
500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : onsemi / Fairchild FDY101PZ_D-2313325.pdf MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET
на замовлення 16267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDY101PZ Виробник : Fairchild fdy101pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-523F T/R FDY101PZ TFDY101pz
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDY101PZ Виробник : Fairchild fdy101pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SOT-523F T/R FDY100PZ TFDY100pz
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDY101PZ FDY101PZ Виробник : onsemi fdy101pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.