FDY102PZ onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.80 грн |
| 18+ | 17.94 грн |
| 100+ | 8.56 грн |
| 1000+ | 7.72 грн |
| 3000+ | 5.98 грн |
| 9000+ | 5.30 грн |
| 24000+ | 5.22 грн |
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Технічний опис FDY102PZ onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 830mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 625mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm.
Інші пропозиції FDY102PZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FDY102PZ | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FDY102PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDY102PZ |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
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| FDY102PZ |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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