Продукція > ONSEMI > FDY102PZ
FDY102PZ

FDY102PZ onsemi

FAIR-S-A0000083184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.83 грн
6000+6.84 грн
9000+6.49 грн
15000+5.72 грн
21000+5.50 грн
30000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDY102PZ onsemi

Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.28 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 830mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDY102PZ за ціною від 8.37 грн до 35.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDY102PZ FDY102PZ onsemi FAIR-S-A0000083184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
на замовлення 34254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.98 грн
15+21.09 грн
100+13.34 грн
500+9.38 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY102PZ FDY102PZ onsemi / Fairchild FDY102PZ_D-2313233.pdf MOSFETs -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnc
на замовлення 162030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDY102PZ FDY102PZ ONSEMI ONSM-S-A0003588073-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.28 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY102PZ ONN FAIR-S-A0000083184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDY102PZ FAIR-S-A0000083184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDY102PZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
на замовлення 34254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.98 грн
15+21.09 грн
100+13.34 грн
500+9.38 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY102PZ FDY102PZ_D-2313233.pdf
FDY102PZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnc
на замовлення 162030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDY102PZ ONSM-S-A0003588073-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDY102PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.28 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 830mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDY102PZ FAIR-S-A0000083184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.