FDY102PZ ON Semiconductor
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDY102PZ ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDY102PZ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FDY102PZ | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnc |
на замовлення 219344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
FDY102PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||
FDY102PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V |
товар відсутній |