FDY102PZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.87 грн |
| 6000+ | 6.88 грн |
| 9000+ | 6.52 грн |
| 15000+ | 5.75 грн |
| 21000+ | 5.52 грн |
| 30000+ | 5.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDY102PZ onsemi
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.28 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 830mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDY102PZ за ціною від 4.82 грн до 40.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDY102PZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnc |
на замовлення 162030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDY102PZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 830mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V |
на замовлення 34254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDY102PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY102PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 830 mA, 0.28 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 830mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDY102PZ | Виробник : ONN |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |