FDY2001PZ

FDY2001PZ Fairchild Semiconductor


FAIRS24083-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT563F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 446mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563F
на замовлення 161335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4438+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 4438
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDY2001PZ Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT563F, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 446mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563F.

Інші пропозиції FDY2001PZ за ціною від 8.56 грн до 8.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDY2001PZ Виробник : ONSEMI 390249.pdf Description: ONSEMI - FDY2001PZ - MOSFET, DUAL, P, SMD, SC89
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
на замовлення 161335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.