| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 628+ | 22.49 грн |
| 784+ | 18.01 грн |
| 808+ | 17.48 грн |
| 937+ | 14.52 грн |
| 1140+ | 11.05 грн |
| 3000+ | 9.97 грн |
| 6000+ | 9.90 грн |
| 15000+ | 9.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDY3000NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDY3000NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 625mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDY3000NZ за ціною від 9.75 грн до 28.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDY3000NZ | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin SOT-563F T/R |
на замовлення 25640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDY3000NZ | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F Supplier Device Package: SOT-563F Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 446mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDY3000NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
FDY3000NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDY3000NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 625mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 14480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDY3000NZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin SOT-563F T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin SOT-563F T/R
на замовлення 25640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.12 грн |
| 34+ | 22.49 грн |
| 100+ | 17.36 грн |
| 250+ | 15.61 грн |
| 500+ | 12.91 грн |
| 1000+ | 10.61 грн |
| 3000+ | 9.97 грн |
| 6000+ | 9.90 грн |
| FDY3000NZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F
Supplier Device Package: SOT-563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F
Supplier Device Package: SOT-563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 28.15 грн |
| 13+ | 23.57 грн |
| 100+ | 16.36 грн |
| 500+ | 12.00 грн |
| 1000+ | 9.75 грн |
| FDY3000NZ |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDY3000NZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDY3000NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDY3000NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.7ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 625mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)