FDY3000NZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F
Supplier Device Package: SOT-563F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 446mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.96 грн |
| 13+ | 23.41 грн |
| 100+ | 16.25 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| 1000+ | 9.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDY3000NZ onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 446mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563F.
Інші пропозиції FDY3000NZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDY3000NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDY3000NZ |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
MOSFET 20V Dual N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)