Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDY302NZ
FDY302NZ

FDY302NZ ON Semiconductor

3663663515138139fdy302nz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-523FL T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDY302NZ ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDY302NZ за ціною від 5.75 грн до 22.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDY302NZ FDY302NZ Виробник : onsemi fdy302nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.23 грн
6000+ 5.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDY302NZ FDY302NZ Виробник : onsemi fdy302nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 6386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.75 грн
16+ 17.25 грн
100+ 10.34 грн
500+ 8.99 грн
1000+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDY302NZ FDY302NZ Виробник : onsemi / Fairchild FDY302NZ_D-2312917.pdf MOSFET 20V Sgl N-Ch 2.5V Spec PwrTrench
на замовлення 38378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDY302NZ
Код товару: 147293 		fdy302nz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній