Продукція > ONSEMI > FDZ1323NZ
FDZ1323NZ

FDZ1323NZ onsemi

fdz1323nz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDZ1323NZ onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3), Part Status: Active.

Інші пропозиції FDZ1323NZ за ціною від 40.38 грн до 159.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDZ1323NZ FDZ1323NZ Виробник : onsemi / Fairchild FDZ1323NZ_D-2313518.pdf MOSFETs 20V Common Drain N-Channel 2.5 V PowerTrench WL-CSP MOSFET
на замовлення 4714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.88 грн
10+91.99 грн
100+56.45 грн
500+45.86 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZ FDZ1323NZ Виробник : onsemi fdz1323nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.3x2.3)
Part Status: Active
на замовлення 28663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.88 грн
10+96.90 грн
100+63.90 грн
500+47.76 грн
1000+40.94 грн
2000+40.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZ FDZ1323NZ Виробник : ONSEMI FDZ1323NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDZ1323NZ - Dual-MOSFET, WLCSP
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZ FDZ1323NZ Виробник : ON Semiconductor 3666404437549114fdz1323nz.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ1323NZ FDZ1323NZ Виробник : ON Semiconductor 3666404437549114fdz1323nz.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.