Технічний опис FDZ1416NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDZ1416NZ - Dual-MOSFET, WLCSP, tariffCode: 85412900, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDZ1416NZ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDZ1416NZ | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
FDZ1416NZ | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24 euEccn: NLR Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDZ1416NZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4) Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDZ1416NZ | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1.6x1.4) Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDZ1416NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |