Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDZ1905PZ

FDZ1905PZ Fairchild Semiconductor

Name: FDZ1905PZ
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 12868052-3
Price: 20119.60 UAH
Availability: InStock

FAIR-S-A0000228050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 6WLCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)
Part Status: Active

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
562+	35.80 грн

Мінімальне замовлення: 562 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDZ1905PZ Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 3, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WL-CSP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції FDZ1905PZ

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
FDZ1905PZ	onsemi	Description: MOSFET 2P-CH 6WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDZ1905PZ	onsemi / Fairchild	MOSFET -20V Common Drain PCh 1.5V PowerTrench	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDZ1905PZ	ONSEMI	Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 3 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3 hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Bauform - Transistor: WL-CSP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099 Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн.

FDZ1905PZ

Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDZ1905PZ

Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET -20V Common Drain PCh 1.5V PowerTrench

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDZ1905PZ

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ1905PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.099 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.099
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WL-CSP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.099
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 5000 шт

В кошику од. на суму грн.