Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDZ191P

FDZ191P onsemi / Fairchild

Виробник: onsemi / Fairchild
Encoders, Decoders, Multiplexers & Demultiplexers UHS Decoder/Demul

на замовлення 5738 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDZ191P onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 3, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: WL-CSP, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDZ191P

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDZ191P	Виробник : ONSEMI	Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 3 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: WL-CSP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDZ191P	Виробник : ONSEMI	Description: ONSEMI - FDZ191P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.067 ohm, WL-CSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 1.9 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDZ191P	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDZ191P	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDZ191P	Виробник : onsemi	Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1x1.5) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.