FDZ202P Fairchild Semiconductor


FAIRS34766-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
на замовлення 155615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1110+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1110 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDZ202P Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-WFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDZ202P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDZ202P onsemi FDZ202P.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ202P FDZ202P onsemi / Fairchild FDFDZ202P-1192005.pdf MOSFET 20V/12V P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ202P FDZ202P.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-BGA (2x2.5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 884 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ202P FDFDZ202P-1192005.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 20V/12V P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.