Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDZ299P
FDZ299P

FDZ299P Fairchild Semiconductor

FAIRS24009-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V
на замовлення 14445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
781+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 781
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDZ299P Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-WFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDZ299P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDZ299P Виробник : FSC FAIRS24009-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDZ299P.pdf
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDZ299P Виробник : onsemi FDZ299P.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-BGA (2x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 742 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.