FDZ661PZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.54 грн |
| 10+ | 53.77 грн |
| 100+ | 35.40 грн |
| 500+ | 25.81 грн |
| 1000+ | 23.42 грн |
| 2000+ | 21.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDZ661PZ onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDZ661PZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | _PRICE_WITHOUT_VAT |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDZ661PZ | onsemi / Fairchild |
MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET |
на замовлення 9985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDZ661PZ |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET
MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)