FDZ663P ONSEMI

Description: ONSEMI - FDZ663P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1233+ | 25.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDZ663P ONSEMI
Description: FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.80x0.80), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDZ663P за ціною від 26.43 грн до 26.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDZ663P | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.80x0.80) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FDZ663P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |