на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.38 грн |
72+ | 15.14 грн |
196+ | 14.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FE6B DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A P600, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: P600, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції FE6B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FE6B | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: P600, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: P600 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |