FES10D onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO277-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 38.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FES10D onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO277-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-277-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції FES10D за ціною від 35.07 грн до 99.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FES10D | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A TO277-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 140pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 8673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FES10D | Виробник : onsemi / Fairchild | Rectifiers 10A 200V Ultra Fast |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FES10D | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 10A 40ns 3-Pin(2+Tab) TO-277 T/R |
товар відсутній |