Технічний опис FES16GT
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V.
Інші пропозиції FES16GT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FES16GT | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FES16GT | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FES16GT | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |