FES8DT/45 VIS

Виробник: VIS
07+;

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис FES8DT/45 VIS

Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 8A.

Інші пропозиції FES8DT/45

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	FES8DT/45	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 8A	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

FES8DT/45

Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.