FES8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FES8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції FES8DT-E3/45 за ціною від 33.01 грн до 93.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FES8DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FES8DT-E3/45 | Виробник : VISHAY |
FES8DT THT universal diodes |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
FES8DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FES8DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |