
FES8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 45.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FES8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - FES8JT-E3/45 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: FES8xT, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції FES8JT-E3/45 за ціною від 33.32 грн до 80.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FES8JT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FES8JT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FES8JT-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 125A; TO220AC; Ir: 500uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 50pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.5V Leakage current: 0.5mA Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FES8JT-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FES8xT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FES8JT-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 125A; TO220AC; Ir: 500uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 50pF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 125A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.5V Leakage current: 0.5mA Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FES8JT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FES8JT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FES8JT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |