FESB16CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


fes16jt.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.62 грн
10+94.94 грн
100+75.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FESB16CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Current - Average Rectified (Io): 16A, Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FESB16CT-E3/81

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FESB16CT-E3/81 FESB16CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16CT-E3/81 FESB16CT-E3/81 Vishay General Semiconductor fes16jt-1767981.pdf Rectifiers 150 Volt 16 Amp 35ns Single
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16CT-E3/81 fes16jt.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16CT-E3/81 fes16jt-1767981.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 150 Volt 16 Amp 35ns Single
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.