FESB16GT-E3/81

FESB16GT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


fes16jt.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.18 грн
1600+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FESB16GT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V.

Інші пропозиції FESB16GT-E3/81 за ціною від 51.15 грн до 125.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FESB16GT-E3/81 FESB16GT-E3/81 Виробник : Vishay General Semiconductor fes16jt.pdf Rectifiers 400 Volt 16 Amp 50ns Single
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.42 грн
10+75.37 грн
100+59.81 грн
500+59.74 грн
800+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16GT-E3/81 FESB16GT-E3/81 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.43 грн
10+100.30 грн
100+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16GT-E3/81 FESB16GT-E3/81 Виробник : Vishay fes16jt.pdf Diode Switching 400V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.