FESB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.44 грн |
| 10+ | 97.90 грн |
| 100+ | 77.96 грн |
| 500+ | 61.91 грн |
| 1000+ | 52.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FESB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції FESB16JT-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FESB16JT-E3/45 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns |
на замовлення 2089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FESB16JT-E3/45 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)