FESB16JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
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Технічний опис FESB16JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 250A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FESB16JT-E3/81 за ціною від 77.96 грн до 122.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
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FESB16JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FESB16JT-E3/81 | VISHAY |
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
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FESB16JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns |
на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
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FESB16JT-E3/81 | VISHAY |
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 250A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| FESB16JT-E3/81 |
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Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 145pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.44 грн |
| 10+ | 97.90 грн |
| 100+ | 77.96 грн |
| FESB16JT-E3/81 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 250A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchlassspannung, max.: 1.5V
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usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FESB16JT-E3/81 |
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Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns
Rectifiers 16 Amp 600 Volt 50ns
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FESB16JT-E3/81 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A
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Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 250A
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Qualifikation: -
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Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
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Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
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Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - FESB16JT-E3/81 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 16 A, Einfach, 1.5 V, 50 ns, 250 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)