Продукція > VISHAY > FESB16JT-M3/I
FESB16JT-M3/I

FESB16JT-M3/I Vishay


Виробник: Vishay
Rectifiers 16A,600V,SINGLE UF RECT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FESB16JT-M3/I Vishay

Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 16A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ifsm: 250A, Mounting: SMD, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Type of diode: rectifying, Reverse recovery time: 50ns, Load current: 16A, Max. forward impulse current: 250A, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: single diode, Case: D2PAK; TO263AB.

Інші пропозиції FESB16JT-M3/I

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FESB16JT-M3/I VISHAY Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 16A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ifsm: 250A
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 50ns
Load current: 16A
Max. forward impulse current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16JT-M3/I
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 16A; 50ns; D2PAK,TO263AB; Ifsm: 250A
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 50ns
Load current: 16A
Max. forward impulse current: 250A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK; TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.