FESF8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 106.17 грн |
100+ | 99.59 грн |
500+ | 82.20 грн |
1000+ | 46.97 грн |
2000+ | 46.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FESF8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: ITO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції FESF8DT-E3/45
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
FESF8DT-E3/45 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
FESF8DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FESF8DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: ITO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |