FF06MR12A04MA2AKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: HYBRIDPACK DSC S MODULE WITH SIC
Packaging: Tube
Package / Case: 11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100pF @ 850V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.56mOhm @ 190A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 60mA
Supplier Device Package: PG-MDIP-11-1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 16256.68 грн |
| 12+ | 13277.86 грн |
| 36+ | 12652.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF06MR12A04MA2AKSA1 Infineon Technologies
Description: HYBRIDPACK DSC S MODULE WITH SIC, Packaging: Tube, Package / Case: 11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 20mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100pF @ 850V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.56mOhm @ 190A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 60mA, Supplier Device Package: PG-MDIP-11-1, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FF06MR12A04MA2AKSA1 за ціною від 14986.52 грн до 17838.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF06MR12A04MA2AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|