FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSiC Easy 1B Series
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00733ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10773.68 грн |
| 5+ | 10084.05 грн |
| 10+ | 9393.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSiC Easy 1B Series, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00733ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 за ціною від 19576.79 грн до 24175.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 600V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 150A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 90mA Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2 Part Status: Active |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules N |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 24-Pin Tray |
товару немає в наявності |