Технічний опис FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSiC Easy 1B Series, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00733ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: CoolSiC Easy 1B Series productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00733ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSiC Easy 1B Series
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00733ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Modul
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSiC Easy 1B Series
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00733ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)