FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 90mA
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 19838.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSiC Easy 1B Series, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00733ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 за ціною від 18813.76 грн до 23232.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: CoolSiC Easy 1B Series productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00733ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules N |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 24-Pin Tray |
товару немає в наявності |