Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF1000R17IE4BOSA1
FF1000R17IE4BOSA1

FF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FF1000R17IE4-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201dc994a34980
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+38740.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 6250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V.