Інші пропозиції FF1000R17IE4DB2BOSA1 за ціною від 45735.34 грн до 45735.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULEPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 6250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF1000R17IE4DB2BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45735.34 грн |