FF1000R17IE4DPB2BOSA1 Infineon Technologies
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1000R17IE4DPB2BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 1000A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF1000R17IE4DPB2BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trench Field Stop IGBT Module |
товару немає в наявності |
|
 |
FF1000R17IE4DPB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 1000A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |