FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 1.335 kA, 2.3 kV, 1190 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.335kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A228.c
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 281065.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 1.335 kA, 2.3 kV, 1190 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.335kA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: 3A228.c, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 за ціною від 344959.29 грн до 344959.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|