FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 1.335 kA, 2.3 kV, 1190 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.335kA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 1.335 kA, 2.3 kV, 1190 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: 3A228.c, Drain-Source-Spannung Vds: 2.3kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.335kA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 15Pin(s), Produktpalette: XHP 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A228.c, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm.
Інші пропозиції FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 за ціною від 254637.99 грн до 329222.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 | Infineon Technologies |
XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||
| FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 | Infineon Technologies |
Description: XHP LV Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.335kA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190000pF @ 1.5kV Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 2kA, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3µC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 900mA Supplier Device Package: AG-XHP2K33 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET
XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 329222.85 грн |
| FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: XHP LV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.335kA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190000pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 2kA, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3µC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 900mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K33
Description: XHP LV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.335kA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190000pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.19mOhm @ 2kA, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3µC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 900mA
Supplier Device Package: AG-XHP2K33
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 254637.99 грн |