FF100R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 150A 780W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 650 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF100R12KS4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF100R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2, Verlustleistung Pd: 780, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: 62mm C, IGBT-Konfiguration: Zweifach, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 150, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FF100R12KS4HOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FF100R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
FF100R12KS4HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF100R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2 Verlustleistung Pd: 780 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: 62mm C IGBT-Konfiguration: Zweifach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 150 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
FF100R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| FF100R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF100R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF100R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF100R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 150 A, 3.2 V, 780 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: 62mm C
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF100R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.