FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 555W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 555 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 630 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 555W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 555 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 630 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF100R12RT4HOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FF100R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FF100R12RT4HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM
IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


