FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies


infineonff100r12rt4dsv0201enjp.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555W 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+7061.96 грн
10+6603.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 555W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 555W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 100A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FF100R12RT4HOSA1 за ціною від 9181.02 грн до 10200.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF100R12RT4HOSA1 FF100R12RT4HOSA1 Infineon Technologies infineonff100r12rt4dsv0201enjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555W 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+10200.70 грн
100+9690.34 грн
500+9181.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF100R12RT4HOSA1 FF100R12RT4HOSA1 INFINEON INFNS28333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 555W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF100R12RT4HOSA1 infineonff100r12rt4dsv0201enjp.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 555W 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+10200.70 грн
100+9690.34 грн
500+9181.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF100R12RT4HOSA1 INFNS28333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF100R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 100 A, 1.75 V, 555 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 555W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.