FF100R12W1T7EB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 3747.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF100R12W1T7EB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF100R12W1T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 80 A, 1.5 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 80A, Produktpalette: EasyDUAL Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF100R12W1T7EB11BPSA1 за ціною від 2498.34 грн до 4626.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF100R12W1T7EB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules EASY STANDARD |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FF100R12W1T7EB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 23-Pin Tray |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FF100R12W1T7EB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF100R12W1T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 80 A, 1.5 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 80A Produktpalette: EasyDUAL Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FF100R12W1T7EB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 23-Pin Tray |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FF100R12W1T7EB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: EASY STANDARDPackaging: Tray |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
FF100R12W1T7EB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 23-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FF100R12W1T7EB11BPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2 Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Case: AG-EASY1B Topology: IGBT x2; NTC thermistor |
товару немає в наявності |

