Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1B11BOMA1

FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

infineon-ff11mr12w1m1_b11-ds-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+15782.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSic, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції FF11MR12W1M1B11BOMA1 за ціною від 17673.64 грн до 19942.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies infineon-ff11mr12w1m1_b11-ds-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19942.56 грн
5+17673.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON INFN-S-A0003257861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 infineon-ff11mr12w1m1_b11-ds-v02_02-en.pdf
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19942.56 грн
5+17673.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFN-S-A0003257861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.