Продукція > INFINEON > FF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1B11BOMA1

FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON

INFN-S-A0003257861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: CoolSic
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12722.58 грн
5+11915.45 грн
10+11676.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON

Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSic, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції FF11MR12W1M1B11BOMA1 за ціною від 13706.77 грн до 17319.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w1m1_b11-ds-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13706.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w1m1_b11-ds-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17319.32 грн
5+15348.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF11MR12W1M1_B11-DS-v02_02-EN-1122101.pdf Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w1m1_b11-ds-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin EASY1B-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1B11BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF11MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c0c327a620aea Description: MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.