Технічний опис FF11MR12W1M1B70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 18, Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113, Rds(on)-Prüfspannung: 15, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FF11MR12W1M1B70BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FF11MR12W1M1B70BPSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, ModuletariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55 MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: 18 Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF11MR12W1M1B70BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FF11MR12W1M1B70BPSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
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Verlustleistung Pd: -
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Anzahl der Pins: 18
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
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Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55
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Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF11MR12W1M1B70BPSA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
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