Продукція > INFINEON > FF11MR12W1M1B70BPSA1
FF11MR12W1M1B70BPSA1

FF11MR12W1M1B70BPSA1 INFINEON

3208410.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 18
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18005.47 грн
5+17645.69 грн
10+17285.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF11MR12W1M1B70BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: 18, Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113, Rds(on)-Prüfspannung: 15, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції FF11MR12W1M1B70BPSA1 за ціною від 15456.93 грн до 18362.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF11MR12W1M1B70BPSA1 FF11MR12W1M1B70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies ff11mr12w1m1b70bpsa1.pdf Half-bridge 1200 V MOSFET Module
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+18362.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF11MR12W1M1_B70_DataSheet_v02_00_EN-2255766.pdf Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15724.61 грн
5+15456.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies ff11mr12w1m1b70bpsa1.pdf Half-bridge 1200 V MOSFET Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W1M1B70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF11MR12W1M1_B70-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277fc74390178365dff877ca9 Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.