FF11MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
Part Status: Obsolete
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12322.79 грн |
| 10+ | 10734.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF11MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 100A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 40mA, Supplier Device Package: AG-EASY1B-2, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції FF11MR12W1M1PB11BPSA1 за ціною від 16835.14 грн до 16835.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF11MR12W1M1PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||
| FF11MR12W1M1PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
8 POS AMPSEAL VERTICAL HDR |
товару немає в наявності |