Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF11MR12W2M1HB70BPSA1
FF11MR12W2M1HB70BPSA1

FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies


infineon-ff11mr12w2m1h_b70-datasheet-v00_10-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8604.74 грн
10+8535.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції FF11MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 8118.61 грн до 10449.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1h_b70-datasheet-v00_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+9266.64 грн
10+9191.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF11MR12W2M1H_B70-DataSheet-v00_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c4ce71c44528a Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9722.00 грн
15+8118.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : INFINEON 4130652.pdf Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9981.63 грн
5+9382.28 грн
10+8782.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF11MR12W1M1_B70_DataSheet_v02_00_EN-2255766.pdf MOSFET Modules CoolSiC MOSFET dual module 1200 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10449.40 грн
10+9099.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1h_b70-datasheet-v00_10-en.pdf LOW POWER EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1h_b70-datasheet-v00_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.