Технічний опис FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF11MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 7764.25 грн до 9347.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASYPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg + Boost Chopper) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 75A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 30mA |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF11MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 30mA
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 30mA
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8204.43 грн |
| FF11MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8502.55 грн |
| 10+ | 7764.25 грн |
| FF11MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9077.33 грн |
| FF11MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 9347.91 грн |