FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5579.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FF11MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 6605.42 грн до 10601.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASYPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg + Boost Chopper) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 75A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 30mA |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Modules EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HB70BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
LOW POWER EASY |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
FF11MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
товару немає в наявності |