Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1

FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies


infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+3013.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 3228.93 грн до 8496.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3228.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : INFINEON 4130653.pdf Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6474.58 грн
5+6344.80 грн
10+6215.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+8496.16 грн
100+8071.16 грн
500+7646.20 грн
1000+6963.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+8496.16 грн
100+8071.16 грн
500+7646.20 грн
1000+6963.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies MOSFETs CoolSiC MOSFET dual module 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6308.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies LOW POWER EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.