Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1

FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies

infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3636.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm.

Інші пропозиції FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 5974.40 грн до 9025.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6811.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6811.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7855.61 грн
18+6791.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7855.61 грн
18+6791.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+9025.38 грн
100+8574.72 грн
500+8122.84 грн
1000+7398.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+9025.38 грн
100+8574.72 грн
500+8122.84 грн
1000+7398.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+9025.38 грн
100+8574.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 INFINEON 4130653.pdf Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies infineon_ff11mr12w2m1hp_b11_datasheet_en.pdf MOSFETs CoolSiC MOSFET dual module 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+6588.26 грн
10+5974.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6811.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6811.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7855.61 грн
18+6791.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+7855.61 грн
18+6791.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+9025.38 грн
100+8574.72 грн
500+8122.84 грн
1000+7398.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+9025.38 грн
100+8574.72 грн
500+8122.84 грн
1000+7398.18 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+9025.38 грн
100+8574.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 4130653.pdf
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 infineon_ff11mr12w2m1hp_b11_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CoolSiC MOSFET dual module 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6588.26 грн
10+5974.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.