Технічний опис FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 5534.05 грн до 8616.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
на замовлення 1011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A 33-Pin Tray |
на замовлення 5616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CoolSiC MOSFET dual module 1200 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|