Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1

FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies


infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
на замовлення 277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5623.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 6055.78 грн до 9012.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+6055.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : INFINEON 4130653.pdf Description: INFINEON - FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, Halbbrücke, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.0108 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7320.74 грн
5+7319.92 грн
10+7319.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+9012.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ff11mr12w2m1hp_b11-datasheet-v00_20-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 75A Tray
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+9012.01 грн
25+8831.55 грн
100+8471.43 грн
500+7821.67 грн
1000+6839.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies MOSFETs CoolSiC MOSFET dual module 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7563.91 грн
252+7376.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies LOW POWER EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.